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【图文导读】图1.相变属性图2.低温相的晶体结构图3.中温相的晶体结构图4.铁电特性的表征（A）(TMFM)FeBr4，市物示收费属于(TMCM)FeBr4，市物示收费属于(TMBM)FeBr4和(TMIM)FeBr4的温度依赖性SHG强度（B）使用双波法在323K下测量的(TMFM)FeBr4，(TMCM)FeBr4，(TMBM)FeBr4和(TMIM)FeBr4的P-E磁滞回线（C）(TMFM)FeBr4，(TMCM)FeBr4，(TMBM)FeBr4和(TMIM)FeBr4的复介电常数的实部与偏置电场的关系图5.(TMFM)FeBr4薄膜的生长区结构（A）拓扑图（B-E）同一区域中的垂直PFM振幅（B）和相位（C）图像以及侧面PFM振幅（D）和相位（E）图像图6.薄膜的偏振反转测量(TMFM)FeBr4，(TMCM)FeBr4，(TMBM)FeBr4和(TMIM)FeBr4薄膜的局部振幅（A）和相位（B）磁滞回线图7.压电特性的表征（A,B）(TMFM)FeBr4，(TMCM)FeBr4，(TMBM)FeBr4，(TMIM)FeBr4，(TM)FeCl4和PVDF的PFM共振峰（A）和有效压电系数（B）的比较（C）基于(TMFM)FeBr4膜的压电能量收集器的示意图（D）(TMFM)FeBr4多晶样品在一定冲击下产生的输出电压【总结】通过精确的分子修饰或剪裁，作者成功设计和调节了四种高温多轴分子铁电体(TMFM)FeBr4，(TMCM)FeBr4，(TMBM)FeBr4和(TMIM)FeBr4。然而，门明设计和调节多轴分子铁电体一直是一个巨大的挑战，特别是在压电性能优异的情况下。

此外，确表所有这些多轴铁电体均表现出良好的压电性能，由此(TMFM)FeBr4表现出与PVDF相当的较大压电响应。东南大学的熊仁根教授团队通过精确的分子修饰，乱收成功设计并调节了四种高温多轴分子铁电体[(CH3)3NCH2X]FeBr4（X=F，Cl，Br，I）。